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021-52102968

ALLRESIST光刻膠AR-P 672.045

ALLRESIST光刻膠AR-P 672.045 如果選擇不同分子量的PMMA抗蝕劑獲得較大的底切結構(剝離)兩部分系統。 作為上層,建議使用乳酸乙酯PMMA,因為乳酸乙酯不與其他溶劑形成對比,攻擊第二層。

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ALLRESIST光刻膠AR-P 672.045

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  ALLRESIST光刻膠AR-P 672.045

  如果選擇不同分子量的PMMA抗蝕劑獲得較大的底切結構(剝離)兩部分系統。 作為上層,建議使用乳酸乙酯PMMA,因為乳酸乙酯不與其他溶劑形成對比,攻擊第二層。 對于下層,氯苯,茴香醚或乳酸乙酯PMMA是合適的。 兩個回火步驟均在150°C下進行。建議:大底切(低分辨率):底層50K,上層200K,600K或950K。 高分辨率(底切較小):底層600K,上層950K。

  系統50K / 200K更靈敏,雙層完全以1500 pC / cm2的速度顯影。 相比之下,600K / 950K需要更高的劑量,即2200 pC / cm2。 隨著劑量的增加,更大的底切如果使用的是50K / 200K系統,則會產生這種情況,因此預定用于復雜的提起程序。 變體600K / 950K可以用于更高的總膜厚(> 500 nm),并且是一種可靠的剝離系統,可輕松實現應用程序。 對于這些研究,始終使用AR 600-60(IPA)作為顯影劑,這說明了相對較高的劑量和良好的工藝穩定性

  與AR 600-60(IPA)相比,使用AR 600-55。 IPA的發展卻帶來了可觀的發展更高的對比度(10.5:6.6)。因此,該開發人員注定需要更高的分辨率。經驗進一步顯示與更快的開發人員相比,處理窗口明顯更大。劑量偏差例如容忍10%,沒有任何質量損失。

  在PMMA抗蝕劑的電子輻照下,主鏈斷裂,分子質量從最初下降950 000 g / mol(950K)至5.000 – 10.000 g / mol。這種主鏈斷裂主要是由于激進過程(請參閱下圖)。在最佳劑量下,自由基會重組并形成分子量約為5000 g /摩爾但是,如果劑量急劇增加,則會產生大量自由基并發生交聯從而獲得具有更高分子量的分子。

ALLRESIST光刻膠AR-P 672.045

  PMMA變成負性抗蝕劑。這個效果在右圖中描繪了該圖,該圖顯示了標準工藝的等級曲線(AR-P 671.05,490膜厚30 kV,顯影劑AR 600-56)。高曝光劑量會將抗蝕劑轉換為負性抗蝕劑。

  -電子束,深紫外線(248 nm)

  -對玻璃,硅和金屬有很好的附著力

  -50K比950K高20%

  -用于平面化和多層工藝

  -最高分辨率,高對比度

  -差異的聚(甲基丙烯酸甲酯) 分子量

  -AR-P 631-671溶劑氯苯,快速閃爍。 28°攝氏度

  -AR-P 632-672更安全的溶劑苯甲醚,閃爍p。 44°攝氏度

  -AR-P 639-679較安全的溶劑乳酸乙酯,閃爍p。 36°攝氏度

標題:ALLRESIST光刻膠AR-P 672.045

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